闪存

近期正式完成了对于Intel NAND业务部门收购的SK海力士正着手重组其在中国大连的工厂及相关资产。然而，SK海力士大约3年前开始计划建设的第二座NAND晶圆厂仍因投资保守而处于…

电脑知识网4月7日消息，据国外媒体报道称，三星公司领导层将对主要全球客户提高内存芯片价格——从当前水平提高3-5%。 在三星看来，“需求大幅增长…

电脑知识网2月26日消息，随着NAND闪存技术竞争日益激烈，三星电子公布的路线图显示，计划到2030年开发出1000层的NAND闪存。
为了实现这一目标，三星计划引入一种名为“多BV”（multi-BV）的NAND结

电脑知识网2月21日消息，铠侠宣布了与闪迪联合开发的第10代BiCS 3D NAND闪存，无论堆叠层数、存储密度、接口速率性能，都达到了新的高度。铠侠新闪存采用CBA双晶圆键合技术，分别制造CMOS控制电路、NAND存储阵列，然后键合在一起

电脑知识网2月19日消息，最近一段时间，DRAM内存、NAND闪存价格不断走低，接连出现新的冰点，尤其是DDR4相当疲软，逼得三星、SK海力士、美光都计划在今年停产DDR4 DRAM，但可能很快就不一样了。
据报道，根据美光的预测，DRAM

电脑知识网2月5日消息，3D NAND闪存的设计和制造非常依赖存储单元堆叠，由此可以大幅增加存储密度与容量，降低成本。
最近，来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校、美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室(PPPL)的众多科学家

电脑知识网1月23日消息，根据TrendForce的最新研究报告，NAND内存行业在2025年将继续面临需求疲软和供应过剩的双重压力。
为应对这一挑战，包括美光、铠侠/西部数据、三星和SK海力士/Solidigm在内的主要制造商纷纷计划减产

电脑知识网1月13日消息，据报道，三星位于西安的NAND闪存工厂计划削减产量，减少10%以上，平均月产量从20万片晶圆降至17万片。
与此同时，三星在韩国华城的两条关键生产线——12号和17号，也面临产量调整，旨在进

电脑知识网1月9日消息，1月8日，JEDEC固态技术协会宣布推出通用闪存存储标准UFS 4.1及其配套的主机控制器接口标准UFSHCI 4.1。新标准在兼容UFS 4.0硬件的基础上，进一步优化数据访问速度和整体性能，尤其针对移动应用和计算

科技号12月2日消息，市场调研机构Dram Exchange发布的数据显示，通用NAND固定价格自去年10月起连续5个月上涨后，从今年3月开始横盘，9月转为下跌趋势。 9月至11月…