SK海力士正在开发低功耗LPDDR5M:能效提高8%

电脑知识网2月28日消息,SK海力士正致力于开发新一代低功耗内存LPDDR5M,其数据传输速率与现有的LPDDR5T相同,均为9.6Gbps,但在能效方面实现了显著提升。
LPDDR5M的工作电压从1.01-1.12V降至0.98V,能效提

电脑知识网2月28日消息,SK海力士正致力于开发新一代低功耗内存LPDDR5M,其数据传输速率与现有的LPDDR5T相同,均为9.6Gbps,但在能效方面实现了显著提升。

LPDDR5M的工作电压从1.01-1.12V降至0.98V,能效提高了8%。这一技术突破预计将广泛应用于具备设备端AI功能的智能手机中,使其在本地运行密集型操作时消耗更少的电量,从而满足设备制造商对高效能、低功耗的需求。业内人士推测,SK海力士最快将于年内推出LPDDR5M产品。

与此同时,SK海力士在高带宽内存(HBM)领域的研发也取得了重要进展。目前,SK海力士已进入12层堆叠HBM4的试产阶段,良品率从去年底的60%提升至70%。

这一进展得益于其采用了1β(b)nm(第五代10nm级别)工艺制造DRAM芯片,该工艺在性能和稳定性方面已得到充分验证,并将同样应用于HBM3E产品的生产中。

根据计划,SK海力士将于2025年6月向英伟达提供HBM4样品,以支持其Rubin架构产品的需求。此外,SK海力士预计在今年下半年推出首批12层堆叠的HBM4产品,并于2025年第三季度进入全面供应阶段,进一步巩固其在高端内存市场的领先地位。

SK海力士正在开发低功耗LPDDR5M:能效提高8%

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